美国IBM公司日前宣布，其在使用0.13μm工艺CMOS技术制造的LSI中采用由美国The Dow Chemi cal Co.公司开发的低介电常数的绝缘材料，即low-k“SiLK（Dow Chemical的注册商标）”。据悉，近各半导体制造商为导入low-k材料，材料的开发变得相当活跃。
　　low-k材料作为LSI绝缘材料导入后可以减少布线之间的寄生电容。其结果会由于减少了布线的延迟时间，而可以制造出工作频率更高的LSI。过去30年多来，一直用作绝缘材料的SiO2的介电常数为：SiO2结晶的石英为4.2，用等离子CVD方法制造的SiO2材料为3.8。相比之下“SiLK”的介电常数只有2.65。
　　除了“SiLK”以外，各厂家还在寻找其他材料用作low-k材料。各半导体厂商对使用何种材料其意见也不一致。这是因为无论哪种材料都不易加工使用，用其作为绝缘材料时需要相当高的加工技术。此次使用的“SiLK”为有机高分子材料，耐热性低，所以有专家指出其在制造过程中容易出现变性问题。据了解，IBM已通过改善制造流程克服了上述缺点，他们在成膜工艺中采用涂抹法（Spin On法）。有消息说，两家公司今后研究将共同开发介电常数低于2.0的低low-k材料。<<环氧树脂在线>>