中科院上海微系统与信息技术研究所日前发布信息称，该所超导实验室石墨烯课题组在国际上次通过引入气态催化剂的方法，实现了石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向、快速生长，标志着我国在制备石墨烯单晶的研究中再获重要突破。该方法为在介质衬底上制备高质量石墨烯单晶薄膜提供全新的思路和技术方案，具有可观的产业化应用前景。
　　据该所王浩敏研究员介绍，自2011年起，上海微系统所石墨烯团队就开始开展在六方氮化硼衬底上外延生长石墨烯单晶，及其结构和性能表征工作，并取得了一系列成果......
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