石墨烯，即单原子厚度的碳层，经常被誉为有望替代硅材料成为电子工业领域核心的革命性的材料。其内部电子移动速率非常快，约为光速的1/300，导电性能良好。再加上它本质为二维材料，因此石墨烯是一种很有吸引力的替代物。不过，要想应用仍有一些障碍。
      
　　近来由宾夕法尼亚大学、加利福尼亚大学伯克利分校、伊利诺伊大学香槟分校组成的一个研究小组攻克了一个难题。通过新方法改变一定区域石墨烯内部的电子数量，他们得到了利用石墨烯这种二维材料制作半导体器件的基础单位时的一个原理论证。
　　另外，通过一定的电场应用程序可以调整电子数量的值，这意味着用这种方式制成的石墨烯电路将来或许可以动态地“重塑”而无需改变装置。
　　这项研究由宾大的Andrew Rappe、伯克利大学Lane Martin以及伊利诺斯大学的Moonsub Shim小组协作完成，其成果发表在《自然通讯》上。
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