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HRL实验室与DARPA合作推动GaN集成电路技术走向成熟
发布日期:2018-12-04  来源:国防科技信息网  浏览次数:422
 
   [据军事嵌入式网站2018年11月30日报道]近日,HRL实验室就GaN项目的进展做出了报告,该项目由其与美国国防先期研究计划局(DARPA)协同进行,目的是为了促进基于尖端毫米波(mm-wave)T3氮化镓(GaN)的电子产品的相关研发技术和制造水平的发展。
 
  HRL实验室是波音公司和通用汽车旗下的研发实验室,专业负责传感器和研究材料、信息和系统科学应用电磁学、集成电路和微电子方面的研究工作。实验室的工程师表示,将GaN应用于碳化硅衬底晶片后研制的集成电路(ICs)能够满足最佳的组合效率、输出功率,而此类IC在无线电频率和mm-wave半导体技术同样适用;毫无疑问,这类GaN器件和单片微波集成电路(MMICs)将成为促进下一代雷达、电子战系统和通信系统发展的关键。
 
  应HRL实验室与DARPA二者要求,HRL传感器和电子实验室的工程师举办了研讨会,诚邀各学术机构和政府实验室的电路设计师,共同研讨HRL的T3 GaN技术流程设计组件的优劣。
 
  该研讨会的发起者是HRL公司的丹尼霍法博士,他说:“为了促进T3 GaN技术走向成熟,DARPA为我们提供了资金保障,如今我们只需要充分利用技术研发优势。同时,我们非常高兴GaN技术能够引起各界伙伴的兴趣,并热情地加入进来。作为我们项目团队的一份子,设计师们将参与到基于多项目晶片的MMICs各类设计工作中。”
 
  HRL mm-wave GaN研发项目负责人赫罗特博士说:“到目前为止,阻碍GaN电子产品打入军工市场的因素有二,即生产周期长和技术发展不成熟。本次项目将缩短我们实际设计的产品与预想的世界最快的GaN产品之间的差距。在DARPA的支持下,我们完全有能力缩短生产周期,促成流水线生产,并满足国防性能标准。简而言之,政府需要的是一个拥有成熟和先进的GaN技术的工业供应商,而我们的微加工技术实验室有优秀的生产环境,我们将致力于成为高性能mm-wave GaN元件的主要供应商之一。”(工业和信息化部电子第一研究所 张俊杰)
 
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